KRI 考夫曼离子源 RFICP 100

KRI 考夫曼离子源 RFICP 100
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10 CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.
KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 技术参数：

KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

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201206
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