微电子学蚀刻

微电子学蚀刻-硅微结构装精密检测显微镜

  由于具有较小的粒子自由路径，所以不可能进行具有方向性
的传输过程。在微电子学中仅起着第二位重要作用的特殊方法是湿
式化学各向异性蚀刻方法。由碱性浸蚀剂去除硅的速率取决于被蚀
刻晶体的晶向，湿式化学各向异性蚀刻方法构成了制造硅微机构的
基础
  上述提到的蚀刻方法可以按照各向异性和材料的选择性程度进
行分类，主要过程如下，
  ·等离子蚀刻和圆桶状蚀刻  蚀刻的作用主要是阻止活性物质
的化学反应如由等离子放电形成的酸根。由于相对较高的工作压力
，蚀刻过程具有较大的各向同性。通过选择适当的酸根，蚀刻过程
也可以变得具有高的选择性。
  ·活性离子蚀刻(RIE)  这是一个物理和化学过程的组合。在
稀释的离子束中，高能活性物质的定向移动可以通过加速电压维持
在蚀刻表面的正确角度。
  ·溅射蚀刻或离子铣削  这被认为是一个单纯的物理过程。化
学惰性的离子如稀有气体的离子，在电场的作用下可以在离子束中
产生并被加速到基体而产生物理溅射。
  这些过程包括了蚀刻特性的整个范围，离子蚀刻是各向同性的
。但也可以变成具有大的选择性，另一方面溅射蚀刻可以通过减少
选择性而变得强烈地各向异性。而活性离子蚀刻(RIE)是介于中等
各向异性和绝对选择性之间的一种方法。 
  封装技术
  在所有制造系统和系统分组内通过把不同技术的构件集成于一
个基体或一个壳内的技术，总结为一个“术语”——封装技术。在
这一技术下，按照芯片—、线—、反转—芯片—、TAB-连接、封壳
技术和PCB(印刷电路板)技术等进行了分类。

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